Подготовленная мной краткая справка по текущему состоянию Тайваньской микроэлектронной промышленности вызвала у Романова единственное восклицание:

— Т. е., получается, весь их успех — целенаправленная местная политика и использование благоприятных факторов переноса производств в Юго-Восточную Азию? Да уж…

Справка от самого Валентина Михайловича гласила:

'…Развитие электронной промышленности на Тайване началось с середины 1950-х годов. Иностранные компании открывают на острове первые предприятия поначалу только сборочного цикла, а местные производители перенимают опыт и всё более сложные технологии.

В начале 1970-х годов правительство Тайваня принимает решение о выборе производства полупроводников и электронной техники приоритетным направлением развития экономики.

Фактическое начало полупроводниковой промышленности Тайваня положено в марте 1976 года с подписания соглашения о передаче технологий между Институтом исследования промышленных технологий (ITRI) и американской корпорацией RCA.

В конце 1977 года началось производство микросхем на 3-дюймовых пластинах, в завершившемся 1981 году это производство было выделено в United Microelectronics Corporation (UMC)…'

* * *

«Предсказание» Вяткина по памяти гласило, что в 1987 году, появится на свет Taiwan Semiconductor Manufacturing Company — та самая TSMC, которая быстро обойдёт UMC и станет N1 в мире производства чипов…

…а ещё он помнил (увы, мало, как мало задержалось в его памяти!) следующее:

а)

«В конце 1980-х изменилась схема печати в фотолитографии — 'стали одновременно засвечивать не всю маску, а только ее часть, при таком варианте аберрация (погрешность) объектива сказывается меньше, что обеспечивало лучшее пространственное разрешение. Полное изображение получали за счет согласованного перемещения маски и пластины с фоторезистом. Это позволило повысить разрешение.»

б)

«Укорачивание длины волны, переход от ультрафиолетовых ламп к коротковолновым лазерам, что тоже позволило увеличить пространственное разрешение.»

в)

«Появление иммерсионной фотолитография, когда область между пластиной и выходом проекционного объектива заполнялась иммерсионной жидкостью.»

г)

«Технология многократного экспонирования, в разы позволяющая улучшить разрешение. По этой технологии на пластине один слой рисуется за несколько приемов. Каждый раз наносится разряженный рисунок, но сдвинутый относительно предыдущего на несколько нанометров. Таким образом, удается кратно, до 4-х раз еще уменьшить минимальный размер рисунка. Сверхсложная технология, которая заметно уменьшает производительность фотолитографического процесса и процент годных изделий.»